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Alliance Memory AS4C16M16SA-6TCN

IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :AS4C16M16SA-6TCN
Fabricante :Alliance Memory
Dasenic Número de pieza :AS4C16M16SA-6TCN-DS
Referencia de cliente :
Descripción : IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 2.2410$ 2.24
20+$ 2.1960$ 43.92
40+$ 2.1690$ 86.76
125+$ 2.1330$ 266.63
250+$ 2.0880$ 522
En stock: 5493
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 2.241
Total :$ 2.24
Entrega :
dhlupsfedex
Pago :
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AS4C16M16SA-6TCN información

  • Alliance Memory AS4C16M16SA-6TCN especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • テクノロジー:SDRAM
  • サプライヤーデバイスパッケージ:54-TSOP II
  • メモリサイズ:256Mb (16M x 16)
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:3V ~ 3.6V
  • クロック周波数:166 MHz
  • アクセス時間:5 ns
  • メモリフォーマット:DRAM
  • メモリインターフェース:Parallel
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:12ns
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C16M16SA-6TCN fornecido por Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
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