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EPC EPC2100ENGRT
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
N.º de pieza del fabricante :EPC2100ENGRT
Fabricante :EPC
Dasenic Número de pieza :EPC2100ENGRT-DS
Ficha de datos :
EPC2100ENGRT Ficha de datos
EPC2100ENGRT Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 14.8800 | $ 14.88 |
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MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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EPC2100ENGRT información
EPC EPC2100ENGRT especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
- F E T機能:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10A (Ta), 40A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0040
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
EPC2100ENGRT fornecido por EPC
Efficient Power Conversion Corporation (EPC) は、窒化ガリウム (GaN) ベースのパワーデバイスの開発と商品化を通じてパワーエレクトロニクス分野の発展に取り組んでいる最先端技術企業です。EPC は、パワーエレクトロニクス、半導体、ビジネス管理の専門家チームによって 2007 年に設立されました。設立以来、EPC は業界のリーダーとして認められ、既製の GaN ベースのパワートランジスタと集積回路の幅広いポートフォリオを提供しています。2009 年以降、同社の製品ラインは急速に拡大し、集積回路、自動車認定デバイス、耐放射線デバイスのファミリーが拡大しています。当社の製品は、民生用電子機器や自動車から再生可能エネルギーや宇宙まで、幅広い用途で使用されています。今日、世界中の大手企業が EPC と連携して、GaN の力で次世代テクノロジーを実現しています。
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