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GaNPower GPI65060DFN
GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8
N.º de pieza del fabricante :GPI65060DFN
Fabricante :GaNPower
Dasenic Número de pieza :GPI65060DFN-DS
Ficha de datos :
GPI65060DFN Ficha de datos
GPI65060DFN Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 27.0000 | $ 27 |
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Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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GPI65060DFN información
GaNPower GPI65060DFN especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- 消費電力（最大）:-
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:60A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.2V @ 3.5mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:16 nC @ 6 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:420 pF @ 400 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V
- Vgs (最大):+7.5V, -12V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GPI65060DFN fornecido por GaNPower
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