Las imágenes son sólo para referencia.
1 : $3150.0000
El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !
GeneSiC Semiconductor 1N8028-GA
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
N.º de pieza del fabricante :1N8028-GA
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :1N8028-GA-DS
Ficha de datos :
1N8028-GA Ficha de datos
1N8028-GA Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 3+ | $ 3150.0000 | $ 9450 |
| 5+ | $ 1995.0000 | $ 9975 |
| 8+ | $ 1286.2400 | $ 10289.92 |
| 10+ | $ 1260.5200 | $ 12605.2 |
En stock: 1713
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 3150
Total :$ 3150.00
Entrega :
Pago :
Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.
Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.
Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.
Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.
1N8028-GA información
GeneSiC Semiconductor 1N8028-GA especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Estado del producto:Obsolete
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-257-3
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-257
- Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
- Corriente - Promedio Rectificado ( Io):9.4A (DC)
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.6 V @ 10 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:20 µA @ 1200 V
- Capacitancia @ Vr, F:884pF @ 1V, 1MHz
- Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):1200 V
- Tiempo de recuperación inversa (trr):0 ns
- Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 250°C
- Estado RoHS de la UE:RoHS non-compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.10.0080
- Estado de ALCANCE:Vendor is not defined
- Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
1N8028-GA fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor es una empresa pionera y líder mundial en tecnología de carburo de silicio (SiC). Los principales fabricantes mundiales dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan a menor temperatura, más rápido y de forma más económica, y desempeñan un papel fundamental en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia. GeneSiC posee patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha, un mercado que se prevé que alcance más de 5000 millones de dólares en 2025. Nuestras principales fortalezas de diseño, proceso y tecnología añaden más valor al producto final de nuestros clientes, con métricas de rendimiento y costes que establecen nuevos estándares en la industria del carburo de silicio. En agosto de 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunció la adquisición de GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Productos relacionados
Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.
