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GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D
N.º de pieza del fabricante :G3R160MT12D
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :G3R160MT12D-DS
Ficha de datos : G3R160MT12D Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
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En stock: 9177
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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G3R160MT12D información
GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
- 消費電力(最大):123W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:22A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:192mOhm @ 10A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.69V @ 5mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:28 nC @ 15 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:730 pF @ 800 V
- 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):15V
- Vgs (最大):±15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3R160MT12D fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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