Las imágenes son sólo para referencia.
1 : $22.4010
El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !
GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
N.º de pieza del fabricante :G3R20MT12K
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :G3R20MT12K-DS
Ficha de datos :
G3R20MT12K Ficha de datos
G3R20MT12K Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 30+ | $ 22.4010 | $ 672.03 |
| 120+ | $ 21.9780 | $ 2637.36 |
| 270+ | $ 21.7170 | $ 5863.59 |
En stock: 8520
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 22.401
Total :$ 22.40
Entrega :
Pago :
Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.
Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.
Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.
Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.
G3R20MT12K información
GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-4
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-4
- 消費電力（最大）:542W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:128A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:24mOhm @ 60A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.69V @ 15mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:219 nC @ 15 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:5873 pF @ 800 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V
- Vgs (最大):±15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3R20MT12K fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Productos relacionados
Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.
