Las imágenes son sólo para referencia.
1 : $3.6300
El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !
GeneSiC Semiconductor GBJ30D
200V 30A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
N.º de pieza del fabricante :GBJ30D
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :GBJ30D-DS
Ficha de datos :
GBJ30D Ficha de datos
GBJ30D Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : 200V 30A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 3.6300 | $ 36.3 |
| 1000+ | $ 2.4200 | $ 2420 |
| 2000+ | $ 2.3000 | $ 4600 |
| 4000+ | $ 2.2000 | $ 8800 |
En stock: 1409
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 3.63
Total :$ 3.63
Entrega :
Pago :
Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.
Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.
Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.
Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.
GBJ30D información
GeneSiC Semiconductor GBJ30D especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:4-SIP, GBJ
- Tecnología:Standard
- Paquete de dispositivo del proveedor:GBJ
- Tipo de diodo:Single Phase
- Voltaje - Pico inverso (máximo):200 V
- Corriente - Promedio Rectificado ( Io):30 A
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.05 V @ 15 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:5 µA @ 200 V
- Número de producto base:GBJ30
- Embalaje:Bulk
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.10.0080
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBJ30D fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor es una empresa pionera y líder mundial en tecnología de carburo de silicio (SiC). Los principales fabricantes mundiales dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan a menor temperatura, más rápido y de forma más económica, y desempeñan un papel fundamental en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia. GeneSiC posee patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha, un mercado que se prevé que alcance más de 5000 millones de dólares en 2025. Nuestras principales fortalezas de diseño, proceso y tecnología añaden más valor al producto final de nuestros clientes, con métricas de rendimiento y costes que establecen nuevos estándares en la industria del carburo de silicio. En agosto de 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunció la adquisición de GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Productos relacionados
Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.
