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GeneSiC Semiconductor KBPC3506T
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A KBPC
N.º de pieza del fabricante :KBPC3506T
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :KBPC3506T-DS
Ficha de datos :
KBPC3506T Ficha de datos
KBPC3506T Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A KBPC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 3.7080 | $ 3.71 |
| 10+ | $ 2.9430 | $ 29.43 |
| 25+ | $ 2.6820 | $ 67.05 |
| 100+ | $ 2.3310 | $ 233.1 |
| 250+ | $ 2.1330 | $ 533.25 |
En stock: 5835
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 3.708
Total :$ 3.71
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KBPC3506T información
GeneSiC Semiconductor KBPC3506T especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:QC Terminal
- Paquete / Caja:4-Square, KBPC-T
- Tecnología:Standard
- Paquete de dispositivo del proveedor:KBPC
- Tipo de diodo:Single Phase
- Voltaje - Pico inverso (máximo):600 V
- Corriente - Promedio Rectificado ( Io):35 A
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.1 V @ 17.5 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:5 µA @ 600 V
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.10.0080
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
KBPC3506T fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor es una empresa pionera y líder mundial en tecnología de carburo de silicio (SiC). Los principales fabricantes mundiales dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan a menor temperatura, más rápido y de forma más económica, y desempeñan un papel fundamental en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia. GeneSiC posee patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha, un mercado que se prevé que alcance más de 5000 millones de dólares en 2025. Nuestras principales fortalezas de diseño, proceso y tecnología añaden más valor al producto final de nuestros clientes, con métricas de rendimiento y costes que establecen nuevos estándares en la industria del carburo de silicio. En agosto de 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunció la adquisición de GeneSiC Semiconductor.
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