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GeneSiC Semiconductor KBPM301G
BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBPM
N.º de pieza del fabricante :KBPM301G
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :KBPM301G-DS
Ficha de datos :
KBPM301G Ficha de datos
KBPM301G Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBPM
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 1.1328 | $ 11.33 |
| 625+ | $ 0.9440 | $ 590 |
| 1250+ | $ 0.7080 | $ 885 |
| 1875+ | $ 0.6600 | $ 1237.5 |
| 2500+ | $ 0.6480 | $ 1620 |
En stock: 1453
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.1328
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KBPM301G información
GeneSiC Semiconductor KBPM301G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- Estado del producto:Obsolete
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:4-SIP, KBPM
- Tecnología:Standard
- Paquete de dispositivo del proveedor:KBPM
- Tipo de diodo:Single Phase
- Voltaje - Pico inverso (máximo):100 V
- Corriente - Promedio Rectificado ( Io):3 A
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.1 V @ 3 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:5 µA @ 50 V
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.10.0080
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
KBPM301G fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor es una empresa pionera y líder mundial en tecnología de carburo de silicio (SiC). Los principales fabricantes mundiales dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan a menor temperatura, más rápido y de forma más económica, y desempeñan un papel fundamental en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia. GeneSiC posee patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha, un mercado que se prevé que alcance más de 5000 millones de dólares en 2025. Nuestras principales fortalezas de diseño, proceso y tecnología añaden más valor al producto final de nuestros clientes, con métricas de rendimiento y costes que establecen nuevos estándares en la industria del carburo de silicio. En agosto de 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunció la adquisición de GeneSiC Semiconductor.
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