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GeneSiC Semiconductor KBPM306G
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBPM
N.º de pieza del fabricante :KBPM306G
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :KBPM306G-DS
Ficha de datos :
KBPM306G Ficha de datos
KBPM306G Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBPM
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 1.1328 | $ 11.33 |
| 625+ | $ 0.9440 | $ 590 |
| 1250+ | $ 0.7080 | $ 885 |
| 1875+ | $ 0.6600 | $ 1237.5 |
| 2500+ | $ 0.6480 | $ 1620 |
En stock: 1721
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.1328
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KBPM306G información
GeneSiC Semiconductor KBPM306G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:4-SIP, KBPM
- テクノロジー:Standard
- サプライヤーデバイスパッケージ:KBPM
- ダイオードタイプ:Single Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧（最大）:600 V
- 電流 - 平均整流 ( Io):3 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 3 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 50 V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
KBPM306G fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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