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GeneSiC Semiconductor MURTA400120
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
N.º de pieza del fabricante :MURTA400120
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :MURTA400120-DS
Ficha de datos :
MURTA400120 Ficha de datos
MURTA400120 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 12+ | $ 374.5400 | $ 4494.48 |
| 24+ | $ 357.2400 | $ 8573.76 |
| 48+ | $ 341.4800 | $ 16391.04 |
En stock: 2480
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 374.54
Total :$ 374.54
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MURTA400120 información
GeneSiC Semiconductor MURTA400120 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Estado del producto:Active
- Tipo de montaje:Chassis Mount
- Paquete / Caja:Three Tower
- Paquete de dispositivo del proveedor:Three Tower
- Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Tipo de diodo:Standard
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:2.6 V @ 200 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:25 µA @ 1200 V
- Configuración de diodos:1 Pair Common Cathode
- Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):1200 V
- Corriente rectificada promedio ( Io) (por diodo):200A
- Tiempo de recuperación inversa (trr):-
- Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 150°C
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.10.0080
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MURTA400120 fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor es una empresa pionera y líder mundial en tecnología de carburo de silicio (SiC). Los principales fabricantes mundiales dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan a menor temperatura, más rápido y de forma más económica, y desempeñan un papel fundamental en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia. GeneSiC posee patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha, un mercado que se prevé que alcance más de 5000 millones de dólares en 2025. Nuestras principales fortalezas de diseño, proceso y tecnología añaden más valor al producto final de nuestros clientes, con métricas de rendimiento y costes que establecen nuevos estándares en la industria del carburo de silicio. En agosto de 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunció la adquisición de GeneSiC Semiconductor.
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