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Goford Semiconductor G08P06D3

P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :G08P06D3
Dasenic Número de pieza :G08P06D3-DS
Ficha de datos :pdf download G08P06D3 Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
10+$ 0.3483$ 3.48
5000+$ 0.1935$ 967.5
15000+$ 0.1782$ 2673
30000+$ 0.1602$ 4806
En stock: 48000
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.3483
Total :$ 0.35
Entrega :
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Pago :
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G08P06D3 información

  • Goford Semiconductor G08P06D3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (3.15x3.05)
  • 消費電力(最大):40W (Tc)
  • F E Tタイプ:P-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:52mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 250µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:25 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2972 pF @ 30 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
  • Vgs (最大):±20V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G08P06D3 fornecido por Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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