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Goford Semiconductor G12P03D3

P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :G12P03D3
Dasenic Número de pieza :G12P03D3-DS
Ficha de datos :pdf download G12P03D3 Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
10+$ 0.1588$ 1.59
5000+$ 0.0882$ 441
15000+$ 0.0810$ 1215
30000+$ 0.0729$ 2187
En stock: 33052
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.1588
Total :$ 0.16
Entrega :
dhlupsfedex
Pago :
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G12P03D3 información

  • Goford Semiconductor G12P03D3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (3.15x3.05)
  • 消費電力(最大):3W (Tc)
  • F E Tタイプ:P-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:12A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:20mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 250µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:24.5 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1253 pF @ 15 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
  • Vgs (最大):±20V
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G12P03D3 fornecido por Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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