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Rochester Electronics AUIRF9952QTR
AUIRF9952 HEXFET POWER MOSFET
N.º de pieza del fabricante :AUIRF9952QTR
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :AUIRF9952QTR-DS
Ficha de datos :
AUIRF9952QTR Ficha de datos
AUIRF9952QTR Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : AUIRF9952 HEXFET POWER MOSFET
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.4966 | $ 0.5 |
| 25+ | $ 0.4867 | $ 12.17 |
| 100+ | $ 0.4668 | $ 46.68 |
| 500+ | $ 0.4469 | $ 223.45 |
| 1000+ | $ 0.4221 | $ 422.1 |
En stock: 50812
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 0.4966
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AUIRF9952QTR información
Rochester Electronics AUIRF9952QTR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:2W
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SO
- F E Tタイプ:N and P-Channel
- F E T機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3.5A, 2.3A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:100mOhm @ 2.2A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:14nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:190pF @ 15V
- EU RoHS ステータス:Vendor omitted MSL Rating information
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:0000.00.0000
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AUIRF9952QTR fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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