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Infineon Technologies IDB23E60ATMA1
DIODE GP 600V 41A TO263-3-2
N.º de pieza del fabricante :IDB23E60ATMA1
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :IDB23E60ATMA1-DS
Ficha de datos :
IDB23E60ATMA1 Ficha de datos
IDB23E60ATMA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE GP 600V 41A TO263-3-2
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.6045 | $ 0.6 |
| 25+ | $ 0.5925 | $ 14.81 |
| 100+ | $ 0.5683 | $ 56.83 |
| 500+ | $ 0.5441 | $ 272.05 |
| 1000+ | $ 0.5138 | $ 513.8 |
En stock: 7800
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IDB23E60ATMA1 información
Infineon Technologies IDB23E60ATMA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO263-3-2
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):41A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:2 V @ 23 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 600 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):600 V
- 逆回復時間 (trr):120 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IDB23E60ATMA1 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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