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Infineon Technologies IPD079N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
N.º de pieza del fabricante :IPD079N06L3GATMA1
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :IPD079N06L3GATMA1-DS
Ficha de datos :
IPD079N06L3GATMA1 Ficha de datos
IPD079N06L3GATMA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.5033 | $ 5.03 |
| 2500+ | $ 0.2796 | $ 699 |
| 5000+ | $ 0.2772 | $ 1386 |
| 10000+ | $ 0.2725 | $ 2725 |
| 15000+ | $ 0.2677 | $ 4015.5 |
En stock: 48809
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IPD079N06L3GATMA1 información
Infineon Technologies IPD079N06L3GATMA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete de dispositivo del proveedor:PG-TO252-3-311
- Disipación de potencia (máxima):79W (Tc)
- Tipo F E T:N-Channel
- Función F E T:-
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):60 V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:50A (Tc)
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:7.9mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.2V @ 34µA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:29 nC @ 4.5 V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:4900 pF @ 30 V
- Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):4.5V, 10V
- Vgs (máximo):±20V
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0095
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IPD079N06L3GATMA1 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.
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