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Inventchip IV1D12010O2
SIC DIODE, 1200V 10A, TO-220-2
N.º de pieza del fabricante :IV1D12010O2
Fabricante :Inventchip
Dasenic Número de pieza :IV1D12010O2-DS
Ficha de datos :
IV1D12010O2 Ficha de datos
IV1D12010O2 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SIC DIODE, 1200V 10A, TO-220-2
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 9.1260 | $ 9.13 |
| 50+ | $ 5.4488 | $ 272.44 |
| 100+ | $ 9.1260 | $ 912.6 |
| 500+ | $ 5.0625 | $ 2531.25 |
En stock: 1690
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 9.126
Total :$ 9.13
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IV1D12010O2 información
Inventchip IV1D12010O2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-2
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):28A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 10 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:575pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C (TJ)
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IV1D12010O2 fornecido por Inventchip
InventChip Technology Co., Ltd.は、シリコンカーバイドパワーデバイスとドライバー/コントロールIC製品の開発に注力するハイテク半導体企業です。2017年に設立され、中国上海に拠点を置いています。Inventchipは、風力エネルギー、太陽光発電、産業用電源、新エネルギー車、モータードライブ、充電パイルなどの分野に適したSiCパワーデバイス、SiCドライバーチップ、SiCモジュールを中心とした電力変換ソリューションを提供しています。Inventchipは、設立当初から6インチSiC MOSFETの研究開発に取り組んできました。3年間の集中的な研究開発を経て、中国で初めて6インチSiC MOSFETとSBDプロセス、およびSiC MOSFETドライバーチップを習得した企業となりました。Inventchipは、エンドシステムの小型化、軽量化、効率向上に特化した高品質でコスト効率の高いSiCパワーデバイスとIC製品の開発に取り組んでおり、完全なターンキー半導体ソリューションを提供しています。
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