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ISSI® IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR
N.º de pieza del fabricante :IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR
Fabricante :ISSI®
Dasenic Número de pieza :IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR-DS
Ficha de datos : IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : 2.375V~2.625V 18Mbit TFBGA-165(13x15) SRAM
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IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR información
ISSI® IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:165-TBGA
- テクノロジー:SRAM - Synchronous, SDR
- サプライヤーデバイスパッケージ:165-TFBGA (13x15)
- メモリサイズ:18Mbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:2.375V ~ 2.625V
- クロック周波数:133 MHz
- アクセス時間:6.5 ns
- メモリフォーマット:SRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 基本製品番号:IS61NVF51236
- 記憶の組織化:512K x 36
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:3A991B2A
- HTS 米国:8542.32.0041
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR fornecido por ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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