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IXYS DHG10I1200PA
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
N.º de pieza del fabricante :DHG10I1200PA
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :DHG10I1200PA-DS
Ficha de datos :
DHG10I1200PA Ficha de datos
DHG10I1200PA Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 2.4300 | $ 2.43 |
| 50+ | $ 1.3160 | $ 65.8 |
| 100+ | $ 2.4300 | $ 243 |
| 500+ | $ 0.9955 | $ 497.75 |
| 1000+ | $ 0.9287 | $ 928.7 |
En stock: 1662
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 2.43
Total :$ 2.43
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DHG10I1200PA información
IXYS DHG10I1200PA especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AC
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):10A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:2.22 V @ 10 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:15 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):200 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DHG10I1200PA fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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