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IXYS IXGQ28N120BD1

IGBT 1200V 50A 250W TO3P
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :IXGQ28N120BD1
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXGQ28N120BD1-DS
Referencia de cliente :
Descripción : IGBT 1200V 50A 250W TO3P
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
En stock: 1909
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0
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IXGQ28N120BD1 información

  • IXYS IXGQ28N120BD1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
  • 入力タイプ:Standard
  • パワー - 最大:250 W
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3P
  • 逆回復時間 (trr):40 ns
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):50 A
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
  • I G B Tタイプ:-
  • Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3.5V @ 15V, 28A
  • 電流 - コレクタパルス ( Icm):150 A
  • エネルギーの切り替え:2mJ (off)
  • ゲートチャージ:92 nC
  • Td (オン/オフ) @ 25° C:30ns/180ns
  • テスト条件:960V, 28A, 5Ohm, 15V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXGQ28N120BD1 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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