Comentario
日本語

Las imágenes son sólo para referencia.

Compartir

1 : $3.2881

El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

IXYS IXSH15N120B

IGBT 1200V 30A 150W TO247
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :IXSH15N120B
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXSH15N120B-DS
Referencia de cliente :
Descripción : IGBT 1200V 30A 150W TO247
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 3.2881$ 3.29
30+$ 2.9892$ 89.68
En stock: 1496
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 3.2881
Total :$ 3.29
Entrega :
dhlupsfedex
Pago :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.

Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.

Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.

Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.

IXSH15N120B información

  • IXYS IXSH15N120B especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-247-3
  • 入力タイプ:Standard
  • パワー - 最大:150 W
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AD
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):30 A
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
  • I G B Tタイプ:PT
  • Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3.4V @ 15V, 15A
  • 電流 - コレクタパルス ( Icm):60 A
  • エネルギーの切り替え:1.5mJ (off)
  • ゲートチャージ:57 nC
  • Td (オン/オフ) @ 25° C:30ns/148ns
  • テスト条件:960V, 15A, 10Ohm, 15V
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXSH15N120B fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS Productos relacionados

Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.

  • RFQ