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IXYS IXYP30N120B4
IGBT DISCRETE TO-220
N.º de pieza del fabricante :IXYP30N120B4
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXYP30N120B4-DS
Ficha de datos :
IXYP30N120B4 Ficha de datos
IXYP30N120B4 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT DISCRETE TO-220
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 12.3323 | $ 12.33 |
| 50+ | $ 11.2112 | $ 560.56 |
En stock: 527
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IXYP30N120B4 información
IXYS IXYP30N120B4 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:-
- パッケージ/ケース:-
- 入力タイプ:-
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):-
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:-
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):-
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:-
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYP30N120B4 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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