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IXYS QV6012LH4TP
N.º de pieza del fabricante :QV6012LH4TP
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :QV6012LH4TP-DS
Ficha de datos : QV6012LH4TP Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : 12 AMP HIGH TEMPERATURE HIGH DVD
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En stock: 3264
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Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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QV6012LH4TP información
IXYS QV6012LH4TP especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Thyristors
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Isolated Tab
- サプライヤーデバイスパッケージ:ITO-220AB
- 構成:Single
- 電流 - 保持 ( Ih) (最大):50 mA
- 電圧 - オフ状態:600 V
- 電流 - オン状態 ( It ( R M S)) (最大):12 A
- 電圧 - ゲートトリガー ( Vgt) (最大):1.2 V
- 電流 - ゲートトリガー ( Igt) (最大):35 mA
- 電流 - 非反復サージ 50、60 Hz ( Itsm):140A, 153A
- トライアックタイプ:Logic - Sensitive Gate
- シリーズ:QVxx12xHx
- パッケージ:Tube
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.30.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
QV6012LH4TP fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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