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IXYS VUO52-20NO1
N.º de pieza del fabricante :VUO52-20NO1
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :VUO52-20NO1-DS
Ficha de datos : VUO52-20NO1 Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : BRIDGE RECT 3PHASE 2KV 54A V1-A
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VUO52-20NO1 información
IXYS VUO52-20NO1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:V1-A
- テクノロジー:Standard
- サプライヤーデバイスパッケージ:V1-A
- ダイオードタイプ:Three Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧(最大):2 kV
- 電流 - 平均整流 ( Io):54 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.13 V @ 20 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:40 µA @ 2000 V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
VUO52-20NO1 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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