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IXYS VVZ70-12IO7
RECT BRIDGE 3PH 1200V FO-T-A
N.º de pieza del fabricante :VVZ70-12IO7
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :VVZ70-12IO7-DS
Ficha de datos :
VVZ70-12IO7 Ficha de datos
VVZ70-12IO7 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : RECT BRIDGE 3PH 1200V FO-T-A
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VVZ70-12IO7 información
IXYS VVZ70-12IO7 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Thyristors
- 製品ステータス:Obsolete
- 構造:Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 電圧オフ状態:1.2 kV
- 電流保持( Ih)(最大):200 mA
- 現在のオン状態( It( A V))(最大):70 A
- 電流ゲートトリガー( Igt)(最大):100 mA
- 電圧ゲートトリガー( Vgt)(最大):1.5 V
- 電流非反復サージ5060 Hz( Itsm):550A, 600A
- S C Rダイオードの数:3 SCRs, 3 Diodes
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
VVZ70-12IO7 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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