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Rochester Electronics FDMD8900
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
N.º de pieza del fabricante :FDMD8900
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :FDMD8900-DS
Ficha de datos :
FDMD8900 Ficha de datos
FDMD8900 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.8561 | $ 0.86 |
| 25+ | $ 0.8390 | $ 20.98 |
| 100+ | $ 0.8047 | $ 80.47 |
| 500+ | $ 0.7705 | $ 385.25 |
| 1000+ | $ 0.7277 | $ 727.7 |
En stock: 18492
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 0.8561
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FDMD8900 información
Rochester Electronics FDMD8900 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:12-PowerWDFN
- パワー - 最大:2.1W
- サプライヤーデバイスパッケージ:12-Power3.3x5
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:19A, 17A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4mOhm @ 19A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:35nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2605pF @ 15V
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FDMD8900 fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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