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Rochester Electronics FGA30N65SMD
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
N.º de pieza del fabricante :FGA30N65SMD
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :FGA30N65SMD-DS
Ficha de datos :
FGA30N65SMD Ficha de datos
FGA30N65SMD Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 1.8270 | $ 1.83 |
| 25+ | $ 1.7910 | $ 44.78 |
| 100+ | $ 1.7190 | $ 171.9 |
| 500+ | $ 1.6470 | $ 823.5 |
| 1000+ | $ 1.5570 | $ 1557 |
En stock: 10082
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.827
Total :$ 1.83
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FGA30N65SMD información
Rochester Electronics FGA30N65SMD especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:300 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3PN
- 逆回復時間 (trr):35 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):60 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):650 V
- I G B Tタイプ:Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.5V @ 15V, 30A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):90 A
- エネルギーの切り替え:716µJ (on), 208µJ (off)
- ゲートチャージ:87 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:14ns/102ns
- テスト条件:400V, 30A, 6Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FGA30N65SMD fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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