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Onsemi FJV3108RMTF
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
N.º de pieza del fabricante :FJV3108RMTF
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :FJV3108RMTF-DS
Ficha de datos :
FJV3108RMTF Ficha de datos
FJV3108RMTF Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.0832 | $ 0.83 |
| 15000+ | $ 0.0416 | $ 624 |
| 30000+ | $ 0.0385 | $ 1155 |
| 75000+ | $ 0.0333 | $ 2497.5 |
| 150000+ | $ 0.0277 | $ 4155 |
En stock: 36
MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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FJV3108RMTF información
Onsemi FJV3108RMTF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- Estado del producto:Obsolete
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Potencia - Máxima:200 mW
- Paquete de dispositivo del proveedor:SOT-23-3
- Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
- Corriente - Colector ( Ic) ( Máx.):100 mA
- Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.):50 V
- Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
- Corriente de corte del colector (máx.):100nA (ICBO)
- Ganancia de corriente continua (h F E) (mín.) a Ic, Vce:56 @ 5mA, 5V
- Frecuencia - Transición:250 MHz
- Resistencia - Base ( R1):47 kOhms
- Resistencia - Base del emisor ( R2):22 kOhms
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.21.0075
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FJV3108RMTF fornecido por Onsemi
Fundada en 1999, ON Semiconductor (Nasdaq: ON) se centra en los mercados finales de la industria y la automoción, y está acelerando el cambio en megatendencias como la electrificación y la seguridad de los vehículos, las redes de energía sostenibles, la automatización industrial y la infraestructura 5G y en la nube. Onsemi ofrece una cartera diversa de productos semiconductores, que incluyen módulos discretos y de potencia, gestión de la energía, acondicionamiento y control de señales, sensores, control de motores, productos personalizados y ASSP, interfaces, conectividad inalámbrica, sincronización, lógica y memoria. Con una cartera de productos altamente diferenciada e innovadora, onsemi crea tecnologías inteligentes de energía y detección que resuelven los desafíos más complejos del mundo y lideran el camino en la creación de un mundo más seguro, limpio e inteligente. Con sede en Arizona, EE. UU., la empresa tiene una infraestructura sólida que incluye una extensa red de 19 plantas de fabricación, 43 centros de diseño y 8 centros de ingeniería de soluciones.
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