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Rochester Electronics FQI6N60CTU
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
N.º de pieza del fabricante :FQI6N60CTU
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :FQI6N60CTU-DS
Ficha de datos :
FQI6N60CTU Ficha de datos
FQI6N60CTU Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.6532 | $ 0.65 |
| 25+ | $ 0.6402 | $ 16.01 |
| 100+ | $ 0.6141 | $ 61.41 |
| 500+ | $ 0.5879 | $ 293.95 |
| 1000+ | $ 0.5552 | $ 555.2 |
En stock: 5532
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.6532
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FQI6N60CTU información
Rochester Electronics FQI6N60CTU especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:I2PAK (TO-262)
- 消費電力（最大）:125W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:5.5A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:2Ohm @ 2.75A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:20 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:810 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FQI6N60CTU fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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