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Onsemi NSB13211DW6T1G
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
N.º de pieza del fabricante :NSB13211DW6T1G
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :NSB13211DW6T1G-DS
Ficha de datos :
NSB13211DW6T1G Ficha de datos
NSB13211DW6T1G Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.0225 | $ 0.02 |
| 25+ | $ 0.0221 | $ 0.55 |
| 100+ | $ 0.0212 | $ 2.12 |
| 500+ | $ 0.0203 | $ 10.15 |
| 1000+ | $ 0.0192 | $ 19.2 |
En stock: 29663
MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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NSB13211DW6T1G información
Onsemi NSB13211DW6T1G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- パワー - 最大:230mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:SC-88/SC70-6/SOT-363
- トランジスタタイプ:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:500nA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
- 周波数 - 遷移:-
- 抵抗器 - ベース ( R1):4.7kOhms, 10kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):4.7kOhms, 10kOhms
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
NSB13211DW6T1G fornecido por Onsemi
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
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