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Rochester Electronics ISL6613ECBZ
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
N.º de pieza del fabricante :ISL6613ECBZ
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :ISL6613ECBZ-DS
Ficha de datos :
ISL6613ECBZ Ficha de datos
ISL6613ECBZ Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 2.1060 | $ 2.11 |
| 25+ | $ 2.0610 | $ 51.53 |
| 100+ | $ 1.9800 | $ 198 |
| 500+ | $ 1.8990 | $ 949.5 |
| 1000+ | $ 1.7910 | $ 1791 |
En stock: 1775
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 2.106
Total :$ 2.11
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ISL6613ECBZ información
Rochester Electronics ISL6613ECBZ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:0°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC-EP
- 電圧 - 供給:10.8V ~ 13.2V
- チャンネルタイプ:Synchronous
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:1.25A, 2A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):36 V
- 上昇/下降時間（標準）:26ns, 18ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
ISL6613ECBZ fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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