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Rochester Electronics FDS6900S
N-CHANNEL POWER MOSFET
N.º de pieza del fabricante :FDS6900S
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :FDS6900S-DS
Ficha de datos :
FDS6900S Ficha de datos
FDS6900S Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : N-CHANNEL POWER MOSFET
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.4973 | $ 0.5 |
| 25+ | $ 0.4874 | $ 12.19 |
| 100+ | $ 0.4674 | $ 46.74 |
| 500+ | $ 0.4475 | $ 223.75 |
| 1000+ | $ 0.4226 | $ 422.6 |
En stock: 36330
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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FDS6900S información
Rochester Electronics FDS6900S especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:900mW (Ta)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6.9A (Ta), 8.2A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA, 3V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:11nC @ 5V, 17nC @ 5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:771pF @ 15V, 1238pF @ 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:Vendor omitted MSL Rating information
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FDS6900S fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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