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Rochester Electronics IR21271SPBF
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
N.º de pieza del fabricante :IR21271SPBF
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :IR21271SPBF-DS
Ficha de datos :
IR21271SPBF Ficha de datos
IR21271SPBF Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 1.0633 | $ 1.06 |
| 10+ | $ 0.9243 | $ 9.24 |
| 100+ | $ 0.9069 | $ 90.69 |
| 250+ | $ 0.8926 | $ 223.15 |
| 500+ | $ 0.8828 | $ 441.4 |
En stock: 32172
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.0633
Total :$ 1.06
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IR21271SPBF información
Rochester Electronics IR21271SPBF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電圧 - 供給:9V ~ 20V
- チャンネルタイプ:Single
- 駆動構成:High-Side or Low-Side
- ドライバー数:1
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 3V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:250mA, 500mA
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):600 V
- 上昇/下降時間（標準）:80ns, 40ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IR21271SPBF fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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