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Rochester Electronics IRFD323
N-CHANNEL POWER MOSFET
N.º de pieza del fabricante :IRFD323
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :IRFD323-DS
Ficha de datos :
IRFD323 Ficha de datos
IRFD323 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : N-CHANNEL POWER MOSFET
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 1.3140 | $ 1.31 |
| 25+ | $ 1.2870 | $ 32.18 |
| 100+ | $ 1.2330 | $ 123.3 |
| 500+ | $ 1.1790 | $ 589.5 |
| 1000+ | $ 1.1160 | $ 1116 |
En stock: 5892
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.314
Total :$ 1.31
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IRFD323 información
Rochester Electronics IRFD323 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:4-DIP (0.300", 7.62mm)
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:4-DIP, Hexdip
- 消費電力（最大）:1W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):350 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:400mA (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:2.5Ohm @ 250mA, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:15 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:455 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:Vendor omitted MSL Rating information
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IRFD323 fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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