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Infineon Technologies IRG8P60N120KD-EPBF

IGBT 1200V 100A TO247AD
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :IRG8P60N120KD-EPBF
Dasenic Número de pieza :IRG8P60N120KD-EPBF-DS
Referencia de cliente :
Descripción : IGBT 1200V 100A TO247AD
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 6.4710$ 6.47
25+$ 6.3450$ 158.63
100+$ 6.0840$ 608.4
500+$ 5.8230$ 2911.5
1000+$ 5.4990$ 5499
En stock: 10591
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 6.471
Total :$ 6.47
Entrega :
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Pago :
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IRG8P60N120KD-EPBF información

  • Infineon Technologies IRG8P60N120KD-EPBF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
  • Estado del producto:Obsolete
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • Paquete / Caja:TO-247-3
  • Tipo de entrada:Standard
  • Potencia - Máxima:420 W
  • Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247AD
  • Tiempo de recuperación inversa (trr):210 ns
  • Corriente - Colector ( Ic) ( Máx.):100 A
  • Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.):1200 V
  • Tipo I G B T:-
  • Vce(encendido) ( Máx.) @ Vge, Ic:2V @ 15V, 40A
  • Corriente - Colector Pulsado ( Icm):120 A
  • Cambio de energía:2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
  • Cargo por entrada:345 nC
  • Td (encendido/apagado) a 25 ° C:40ns/240ns
  • Condición de prueba:600V, 40A, 5Ohm, 15V
  • Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
  • Estado de ALCANCE:Vendor is not defined
  • ECCN de EE. UU.:Provided as per user requirements
  • Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IRG8P60N120KD-EPBF fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.
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