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Rochester Electronics NDH8502P
P-CHANNEL MOSFET
N.º de pieza del fabricante :NDH8502P
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :NDH8502P-DS
Ficha de datos :
NDH8502P Ficha de datos
NDH8502P Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : P-CHANNEL MOSFET
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.5558 | $ 0.56 |
| 25+ | $ 0.5447 | $ 13.62 |
| 100+ | $ 0.5225 | $ 52.25 |
| 500+ | $ 0.5002 | $ 250.1 |
| 1000+ | $ 0.4725 | $ 472.5 |
En stock: 26703
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 0.5558
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NDH8502P información
Rochester Electronics NDH8502P especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
- パワー - 最大:800mW (Ta)
- サプライヤーデバイスパッケージ:SuperSOT™-8
- F E Tタイプ:2 P-Channel (Dual)
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2.2A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:110mOhm @ 2.2A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:14.5nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:340pF @ 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:Vendor omitted MSL Rating information
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NDH8502P fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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