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Rochester Electronics SIGC100T60R3EX1SA1
IGBT 3 CHIP 600V 200A WAFER
N.º de pieza del fabricante :SIGC100T60R3EX1SA1
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :SIGC100T60R3EX1SA1-DS
Ficha de datos :
SIGC100T60R3EX1SA1 Ficha de datos
SIGC100T60R3EX1SA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT 3 CHIP 600V 200A WAFER
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 11.6370 | $ 11.64 |
| 25+ | $ 11.4030 | $ 285.08 |
| 100+ | $ 10.9350 | $ 1093.5 |
| 500+ | $ 10.4760 | $ 5238 |
| 1000+ | $ 9.8910 | $ 9891 |
En stock: 7913
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 11.637
Total :$ 11.64
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SIGC100T60R3EX1SA1 información
Rochester Electronics SIGC100T60R3EX1SA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):200 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.9V @ 15V, 200A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):600 A
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:-
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- HTS 米国:0000.00.0000
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SIGC100T60R3EX1SA1 fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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