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Rohm Semiconductor RD3S100AAFRATL

MOSFET N-CH 190V 10A TO252
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :RD3S100AAFRATL
Fabricante :Rohm Semiconductor
Dasenic Número de pieza :RD3S100AAFRATL-DS
Referencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 6.3477$ 6.35
10+$ 1.4841$ 14.84
50+$ 1.0062$ 50.31
100+$ 0.9459$ 94.59
300+$ 0.9063$ 271.89
En stock: 11838
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 6.3477
Total :$ 6.35
Entrega :
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Pago :
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RD3S100AAFRATL información

  • Rohm Semiconductor RD3S100AAFRATL especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Estado del producto:Active
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • Paquete / Caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete de dispositivo del proveedor:TO-252
  • Disipación de potencia (máxima):85W (Tc)
  • Tipo F E T:N-Channel
  • Función F E T:-
  • Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):190 V
  • Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:10A (Tc)
  • Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:182mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.5V @ 1mA
  • Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:52 nC @ 10 V
  • Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:2000 pF @ 25 V
  • Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):4V, 10V
  • Vgs (máximo):±20V
  • Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
  • Estado de ALCANCE:REACH is not affected
  • ECCN de EE. UU.:EAR99
  • Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RD3S100AAFRATL fornecido por ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor (TYO:6963) es uno de los principales fabricantes de semiconductores y componentes electrónicos del mundo. Fundada en 1958, es una empresa multinacional con sede en Kioto, Japón. ROHM ha ampliado su dominio empresarial mediante el desarrollo de sus tecnologías de diseño y fabricación, tecnologías de control de calidad y capacidades de propuesta de soluciones durante más de 60 años desde su creación. Estas tecnologías y capacidades acumuladas a lo largo de su larga historia tienen cuatro características principales: tecnologías integrales, IDM (integración vertical como fabricante de dispositivos integrados), una amplia gama de productos y orientación al cliente. Nuestro enfoque en soluciones de tecnología analógica y de potencia donde podemos aprovechar al máximo estas fortalezas, brindaremos un alto valor agregado a nuestros clientes y contribuiremos a resolver problemas sociales.
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