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Rohm Semiconductor SCT3080AW7TL
SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
N.º de pieza del fabricante :SCT3080AW7TL
Fabricante :Rohm Semiconductor
Dasenic Número de pieza :SCT3080AW7TL-DS
Ficha de datos :
SCT3080AW7TL Ficha de datos
SCT3080AW7TL Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 11.7900 | $ 11.79 |
| 10+ | $ 6.0750 | $ 60.75 |
| 50+ | $ 5.9580 | $ 297.9 |
| 100+ | $ 5.5440 | $ 554.4 |
| 200+ | $ 5.2020 | $ 1040.4 |
En stock: 3150
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 11.79
Total :$ 11.79
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SCT3080AW7TL información
Rohm Semiconductor SCT3080AW7TL especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
- 消費電力（最大）:125W
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:29A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:104mOhm @ 10A, 18V
- Vgs(th) (最大) @ Id:5.6V @ 5mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:48 nC @ 18 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:571 pF @ 500 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
- Vgs (最大):+22V, -4V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SCT3080AW7TL fornecido por ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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