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SemiQ GSID100A120S5C1

IGBT MOD 1200V 170A 650W
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :GSID100A120S5C1
Fabricante :SemiQ
Dasenic Número de pieza :GSID100A120S5C1-DS
Referencia de cliente :
Descripción : IGBT MOD 1200V 170A 650W
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
En stock: 3000
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
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GSID100A120S5C1 información

  • SemiQ GSID100A120S5C1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
  • Estado del producto:Active
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • Paquete / Caja:Module
  • Potencia - Máxima:650 W
  • Paquete de dispositivo del proveedor:Module
  • Configuración:Three Phase Inverter
  • Aporte:Standard
  • Corriente - Colector ( Ic) ( Máx.):170 A
  • Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.):1200 V
  • Corriente de corte del colector (máx.):1 mA
  • Tipo I G B T:-
  • Vce(encendido) ( Máx.) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 100A
  • Capacitancia de entrada ( Cies) a Vce:13.7 nF @ 25 V
  • Termistor N T C:Yes
  • Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
  • Estado de ALCANCE:REACH is not affected
  • ECCN de EE. UU.:EAR99
  • Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GSID100A120S5C1 fornecido por SemiQ
SemiQ Inc. es un desarrollador y fabricante con sede en EE. UU. de dispositivos y materiales semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC), incluidos: diodos MPS de potencia de SiC, módulos de SiC, MOSFET de potencia de SiC, módulos personalizados de SiC, matriz desnuda de SiC, obleas Epi de tipo N personalizadas de SiC, etc. SemiQ es una empresa privada y parcialmente propiedad de los empleados. SemiQ (anteriormente conocida como Global Power Technologies Group) comenzó a desarrollar tecnologías de carburo de silicio en 2012 en su sede en el sur de California, donde también cultiva Epi y diseña dispositivos. Recientemente, SemiQ lanzó sus diodos Schottky de SiC Gen 3 (tipo Schottky PiN fusionado) que incluyeron mejoras en la corriente de sobretensión, la resistencia a la humedad y la robustez y resistencia generales. Los productos SemiQ se utilizan en sistemas de carga de vehículos eléctricos, calentamiento por inducción, fuentes de alimentación, generación de energía a partir de pilas de combustible e inversores solares en todo el mundo. Además, SemiQ ofrece conocimientos sobre aplicaciones de conversión de energía y tiene una amplia experiencia en el diseño de inversores de 3,3 kW, 6,6 kW y superiores. Las instalaciones de fabricación e ingeniería de SemiQ se encuentran en Lake Forest, California. La empresa cuenta con una cadena de suministro de SiC totalmente redundante.
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