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Texas Instruments CSD19502Q5BT
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
N.º de pieza del fabricante :CSD19502Q5BT
Fabricante :Texas Instruments
Dasenic Número de pieza :CSD19502Q5BT-DS
Ficha de datos :
CSD19502Q5BT Ficha de datos
CSD19502Q5BT Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 35+ | $ 1.3995 | $ 48.98 |
| 80+ | $ 1.1484 | $ 91.87 |
| 125+ | $ 1.1124 | $ 139.05 |
| 170+ | $ 1.0764 | $ 182.99 |
| 220+ | $ 1.0404 | $ 228.89 |
En stock: 19773
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.3995
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CSD19502Q5BT información
Texas Instruments CSD19502Q5BT especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-VSON-CLIP (5x6)
- 消費電力（最大）:3.1W (Ta), 195W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):80 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.1mOhm @ 19A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.3V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:62 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:4870 pF @ 40 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CSD19502Q5BT fornecido por Texas Instruments
1930 年に設立された Texas Instruments (Nasdaq: TXN) は、アナログおよび組み込み処理チップの設計、製造、テスト、販売を行う世界的な半導体企業です。TI の製品は、低消費電力、低コストのデバイスから高性能の専用ソリューションまで多岐にわたります。マイクロコントローラ、アナログ/デジタル コンバータ (ADC)、デジタル/アナログ コンバータ (DAC)、オペアンプ、電源管理 IC など、約 80,000 種類の製品を取り揃え、産業、自動車、パーソナル エレクトロニクス、通信機器、エンタープライズ システムなどの市場に進出する 100,000 社以上のお客様が、電力を効率的に管理し、データを正確に感知して送信し、設計の中核となる制御や処理を提供するのを支援しています。TI は、世界各地に所有され、地域的に多様な社内製造業務を長年にわたって展開しており、世界中に 15 の製造拠点、12 のウェーハ工場、7 つの組み立ておよびテスト工場、複数のバンプおよびプローブ施設を有しています。
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