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Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
N.º de pieza del fabricante :TK10A80E,S4X
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :TK10A80E,S4X-DS
Ficha de datos :
TK10A80E,S4X Ficha de datos
TK10A80E,S4X Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 2.8080 | $ 2.81 |
| 50+ | $ 1.4580 | $ 72.9 |
| 100+ | $ 1.2690 | $ 126.9 |
| 250+ | $ 1.1250 | $ 281.25 |
| 500+ | $ 0.9450 | $ 472.5 |
En stock: 1682
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 2.808
Total :$ 2.81
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TK10A80E,S4X información
Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E,S4X especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SIS
- 消費電力（最大）:50W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):800 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1Ohm @ 5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:46 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2000 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK10A80E,S4X fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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