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Toshiba Semiconductor and Storage TK17V65W,LQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :TK17V65W,LQ
Dasenic Número de pieza :TK17V65W,LQ-DS
Referencia de cliente :
Descripción : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 8.5400$ 8.54
10+$ 5.6280$ 56.28
100+$ 8.5400$ 854
500+$ 3.2754$ 1637.7
1000+$ 3.0800$ 3080
En stock: 1514
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 8.54
Total :$ 8.54
Entrega :
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Pago :
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TK17V65W,LQ información

  • Toshiba Semiconductor and Storage TK17V65W,LQ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:150°C
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:4-VSFN Exposed Pad
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:4-DFN-EP (8x8)
  • 消費電力(最大):156W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:17.3A (Ta)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:210mOhm @ 8.7A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 900µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:45 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1800 pF @ 300 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
  • Vgs (最大):±30V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK17V65W,LQ fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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