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Transphorm TPH3208PD

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :TPH3208PD
Fabricante :Transphorm
Dasenic Número de pieza :TPH3208PD-DS
Referencia de cliente :
Descripción : GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
En stock: 88
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0
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Entrega :
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TPH3208PD información

  • Transphorm TPH3208PD especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Estado del producto:Obsolete
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • Paquete / Caja:TO-220-3
  • Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
  • Paquete de dispositivo del proveedor:TO-220AB
  • Disipación de potencia (máxima):96W (Tc)
  • Tipo F E T:N-Channel
  • Función F E T:-
  • Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650 V
  • Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:20A (Tc)
  • Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:130mOhm @ 13A, 8V
  • Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.6V @ 300µA
  • Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:14 nC @ 8 V
  • Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:760 pF @ 400 V
  • Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V
  • Vgs (máximo):±18V
  • Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • ECCN de EE. UU.:EAR99
  • HTS EE. UU.:8541.29.0095
  • Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
  • Estado de ALCANCE:Vendor is not defined
  • Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TPH3208PD fornecido por Transphorm
Fundada en 2007, Transphorm es una empresa global de semiconductores que lidera la revolución del GaN con dispositivos de GaN de máximo rendimiento y máxima fiabilidad para aplicaciones de conversión de energía de alto voltaje. Para garantizarlo, Transphorm implementa su exclusivo enfoque empresarial integrado verticalmente que aprovecha al equipo de ingeniería de GaN más experimentado de la industria en cada etapa de desarrollo: diseño, fabricación, soporte de dispositivos y aplicaciones. Este enfoque, respaldado por una de las carteras de propiedad intelectual más grandes de la industria con más de 1000 patentes, ha dado como resultado los únicos FET de GaN con calificación JEDEC y AEC-Q101 de la industria. Las innovaciones de Transphorm están llevando la electrónica de potencia más allá de las limitaciones del silicio para lograr una eficiencia superior al 99 %, un 40 % más de densidad de potencia y un 20 % menos de costo del sistema, y así es como lo hacemos.
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