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Vishay GB35XF120K
IGBT MODULE 1200V 50A 284W
N.º de pieza del fabricante :GB35XF120K
Fabricante :Vishay
Dasenic Número de pieza :GB35XF120K-DS
Ficha de datos :
GB35XF120K Ficha de datos
GB35XF120K Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT MODULE 1200V 50A 284W
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 14+ | $ 117.6500 | $ 1647.1 |
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MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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GB35XF120K información
Vishay GB35XF120K especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:ECONO2
- パワー - 最大:284 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- 構成:Three Phase Inverter
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):50 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:100 µA
- I G B Tタイプ:NPT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3V @ 15V, 50A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:3.475 nF @ 30 V
- N T Cサーミスタ:No
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GB35XF120K fornecido por Vishay
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
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