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Renesas Electronics PS8551AL4-V-E3-AX

IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8DIPGW
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :PS8551AL4-V-E3-AX
Dasenic Número de pieza :PS8551AL4-V-E3-AX-DS
Referencia de cliente :
Descripción : IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8DIPGW
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 10.8000$ 10.8
10+$ 7.0740$ 70.74
50+$ 6.5880$ 329.4
100+$ 5.6070$ 560.7
200+$ 5.0040$ 1000.8
En stock: 6000
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 10.8
Total :$ 10.80
Entrega :
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Pago :
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PS8551AL4-V-E3-AX información

  • Renesas Electronics PS8551AL4-V-E3-AX especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 105°C
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-SMD, Gull Wing
  • 電流 - 供給:13.5mA
  • 出力タイプ:-
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-DIP Gull Wing
  • 回路数:1
  • アンプタイプ:Isolation
  • -3db帯域幅:100 kHz
  • 電流 - 出力 / チャンネル:7.8 mA
  • スルーレート:-
  • ゲイン帯域幅積:-
  • 電流 - 入力バイアス:1 µA
  • 電圧 - 入力オフセット:2 mV
  • 電圧 - 供給範囲(最小):4.5 V
  • 電圧 - 供給範囲(最大):5.5 V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8542.33.0001
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PS8551AL4-V-E3-AX fornecido por Renesas Electronics
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサス エレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ(SoC)、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境(IDE)は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。
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