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GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-247D
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D
N.º de pieza del fabricante :GB10SLT12-247D
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :GB10SLT12-247D-DS
Ficha de datos :
GB10SLT12-247D Ficha de datos
GB10SLT12-247D Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 9.9000 | $ 99 |
| 360+ | $ 8.2500 | $ 2970 |
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GB10SLT12-247D información
GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-247D especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.9 V @ 5 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 1200 V
- ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):12A
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GB10SLT12-247D fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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