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1 : $237.4000

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GeneSiC Semiconductor MSRTA20080(A)D

DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :MSRTA20080(A)D
Dasenic Número de pieza :MSRTA20080(A)D-DS
Referencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
24+$ 237.4000$ 5697.6
En stock: 1674
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 237.4
Total :$ 237.40
Entrega :
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Pago :
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MSRTA20080(A)D información

  • GeneSiC Semiconductor MSRTA20080(A)D especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:Three Tower
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Three Tower
  • スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Standard
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 200 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 800 V
  • ダイオード構成:1 Pair Series Connection
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):800 V
  • 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):200A
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MSRTA20080(A)D fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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