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Infineon Technologies BAS1603WE6327HTSA1
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
N.º de pieza del fabricante :BAS1603WE6327HTSA1
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :BAS1603WE6327HTSA1-DS
Ficha de datos :
BAS1603WE6327HTSA1 Ficha de datos
BAS1603WE6327HTSA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.0794 | $ 0.79 |
| 3000+ | $ 0.0441 | $ 132.3 |
| 45000+ | $ 0.0293 | $ 1318.5 |
| 75000+ | $ 0.0283 | $ 2122.5 |
| 150000+ | $ 0.0262 | $ 3930 |
En stock: 18742
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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BAS1603WE6327HTSA1 información
Infineon Technologies BAS1603WE6327HTSA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Estado del producto:Not For New Designs
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:SC-76, SOD-323
- Paquete de dispositivo del proveedor:PG-SOD323-2
- Velocidad:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Tipo de diodo:Standard
- Corriente - Promedio Rectificado ( Io):250mA (DC)
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.25 V @ 150 mA
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:1 µA @ 75 V
- Capacitancia @ Vr, F:2pF @ 0V, 1MHz
- Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):80 V
- Tiempo de recuperación inversa (trr):4 ns
- Temperatura de funcionamiento - Unión:150°C (Max)
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.10.0070
- Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BAS1603WE6327HTSA1 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.
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