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Infineon Technologies IPD65R600C6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
N.º de pieza del fabricante :IPD65R600C6BTMA1
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :IPD65R600C6BTMA1-DS
Ficha de datos :
IPD65R600C6BTMA1 Ficha de datos
IPD65R600C6BTMA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.5362 | $ 0.54 |
| 25+ | $ 0.5255 | $ 13.14 |
| 100+ | $ 0.5041 | $ 50.41 |
| 500+ | $ 0.4826 | $ 241.3 |
| 1000+ | $ 0.4558 | $ 455.8 |
En stock: 18575
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IPD65R600C6BTMA1 información
Infineon Technologies IPD65R600C6BTMA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO252-3
- 消費電力（最大）:63W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:7.3A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:600mOhm @ 2.1A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 210µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:23 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:440 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IPD65R600C6BTMA1 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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